另一方面,2D 工艺的微细化其实对闪存的可靠性也会有负面影响,由于闪存的晶格结构必须要有足够的厚度来维持电气特性,如果太薄,可读写的过程中这些结构可能会被电子打穿,导致数据的永久性损失,这也是所谓的磨耗。
既然 2D 走不通,那么就只好转向3D 堆叠,而这也已经是目前 SSD 或者是各类存储卡所使用闪存的共通制造技术。
图|以 16nm 平面 128GB 容量 TCL 与 32 层 3D 工艺制造的 384GB 容量 TLC 的成本结构比较,虽然每片晶圆贵了将近 2 倍,但每 GB 成本仅约一半。图源:Objective Analysis